TOKYO, Japan:  

तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन (Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation) “तोशिबा” ने “TW070J120B,” पेश किया है। यह औद्योगिक इस्तेमाल के लिए 1200 वोल्ट (1200V) का सिलिकन कार्बाइड (SiC) है। इसमें उच्च क्षमता वाली विद्युत आपूर्ति शामिल है। शिपमेंट आज शुरू हो रहा है। इस प्रेस विज्ञप्ति में मल्टीमीडिया शामिल है। पूरी विज्ञप्ति यहां देखें : https://www.businesswire.com/news/home/20201018005077/en/   तोशिबा : उच्च क्षमता वाली विद्युत आपूर्ति समेत औद्योगिक उपकरणों के लिए 1200 वोल्ट का सिलिकन कार्बाइड (SiC) एमओएसएफईटी TW070J120B (फोटो: बिजनेस वायर) नई सामग्री एसआईसी (SiC), का उपयोग करने वाला पावर एमओएसएफईटी परंपरागत सिलिकन एमओएसएफईटी, आईजीबीटी उत्पादों के मुकाबले उच्च वोल्टेज प्रतिरोध, उच्च गति स्विचिंग और लो ऑन रेसिसटेंस हासिल कर लेता है। इसलिए, यह बिजली का खपत कम करने और सिस्टम को छोटा करने में योगदान देगा। तोशिबा की दूसरी पीढ़ी की चिप डिजाइन (Toshiba’s second-generation chip design[1]), जो SiC एमओएसएफईटी की विश्वसनीयता बेहतर करता है, से फैब्रिकेटेड नया उपकरण निम्न इनपुट कैपेसिटेंस, एक निम्न गेट-इनपुट चार्ज और निम्न ड्रेन टू सोर्स ऑन रेसिसटेंस  हासिल करता है। “GT40QR21,” की तुलना में तोशिबा का 1200V सिलिकॉन इंसुलेटेड गेट बायपोलर ट्रांसिस्टर (आईजीबीटी), टर्न ऑफ स्विचिंग लॉस में कोई 80% के करीब कमी लाता है और स्विचिंग टाइम (फॉल टाइम) में करीब 70% की जबकि निम्न ऑन वोल्टेज खासियतें डिलीवर करता है तथा ड्रेन करंट 20ए या कम होता है।[2]   गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज को 4.2वी से 5.8वो (वोल्ट) की उच्च रेंज में सेट किया गया है। इससे ठीक से काम नहीं करने का जोखिम (बिना चाहे ऑन या ऑफ होना) कम हो जाता है।  निम्न फॉर्वार्ड वोल्टेज के साथ एक SiC स्कॉटकी बैरियर डायोड (एसबीडी) शामिल किए जाने से बिजली का नुकसान कम करने में सहायता मिलती है। नया एमओएसएफईटी उच्च कार्यकुशलता को योगदान करेगा और इसके लिए उच्च क्षमता वाले एसी-डीसी कनवर्टर, फोटोवोल्टैक इनवर्टर और द्विदिशावाले डीसी-डीसी कनवर्टर जैसे औद्योगिक इस्तेमाल में बिजली का नुकसान कम होगा और यह उपकरण का आकार कम करने में भी योगदान करेगा। टिप्पणियां: [1] 30 जुलाई 2020 को तोशिबा की समाचार विज्ञप्ति : “तोशिबा की नई डिवाइस संरचना एसआईसी (SiC) एमओएसएफईटी की विश्वसनीयता बेहतर करती है।” https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html [2] परवेशी तापमान 25°C एपलीकेशन उच्च क्षमता वाले एसी-डीसी कनवर्टर फोटोवोलटैक इनवर्टर बड़ी क्षमता और द्विदिशा वाले डीसी-डीसी कनवर्टर खासियतें दूसरी पीढ़ी वाली चिप डिजाइन (निर्मित SiC एसबीडी) उच्च वोल्टेज, निम्न इनपुट क्षमता, निम्न कुल गेट चार्ज, निम्न ऑन-रेसिसटेंस, निम्न डायोड फॉर्वार्ड वोल्टेज, हाईगेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज: VDSS=1200वोल्ट, Ciss=1680pF (typ.), Qg=67nC (typ.), RDS(ON)=70mΩ (typ.), VDSF=-1.35V (typ.), Vth=4.2～5.8V हैंडल करने में आसान सुधार किस्म   मुख्य विनिर्देशन (अगर कुछ और विनिर्दिष्ट न हो, Ta=25℃) पार्ट   नंबर पैकेज परम अधिकतम रेटिंग विद्युतीय खासियतें नमूना जांच और उपलब्धता   स्रोत वोल्टेज   VDSS   (V) ड्रेन करंट   (डीसी)   ID   @Tc=25℃   (A)     स्रोत वोल्टेज     ऑन-रेसिसटेंस   RDS(ON)   typ.   @VGS=20V   (mΩ) गेट  थ्रेशोल्ड  वोल्टेज   Vth   @VDS=10V,   ID=20mA   (V) कुल   गेट चार्ज   Qg   typ.   (nC) इनपुट कैपैसिटेंस   Ciss किस्म (pF) डायोड फॉर्वार्ड वोल्टेज   VDSF   typ.   @IDR=10A,   VGS=-5V   (V) TW070J120B टीओ -3पी (एन) 1200 36.0 70 4.2 to 5.8 67 1680 -1.35 (ऑनलाइन खरीदें) Buy Online नए उत्पाद पर ज्यादा जानकारी के लिए नीचे के लिंक को फॉलो करें https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B ऑनलाइन वितरकों के पास नए उत्पाद की उपलब्धता जांचने के लिए लिंक पर आएं: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW070J120B.html तोशिबा SiC एमओएसएफईटी के लिए नीचे के लिंक को फॉलो करें https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html तोशिबा SiC पावर डिवाइसेज के बारे में ज्यादा जानकारी के लिए नीचे के लिंक को फॉलो करें https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html ग्राहक पूछताछ : पावर डिवाइस सेल्स एंड मार्केटिंग विभाग फोन : +81-3-3457-3933 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html * कंपनी के नाम, उत्पादों के नाम और सेवा नाम, संबंधित कंपनियों के ट्रेडमार्क हो सकते हैं।  * इस दस्‍तावेज में दी गई जानकारी, उत्‍पाद की कीमतों एवं विशिष्‍टताओं सहित, सेवाओं की विषय-वस्‍तु एवं संपर्क जानकारी घोषणा के तिथि के दिन की हैं लेकिन इनमें बिना किसी पूर्व सूचना के बदलाव किया जा सकता है। तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेज एंड स्टोरेज कॉरपोरेशन के बारे में तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन (टीडीएससी) में नई कंपनी के जोश को अनुभव के चातुर्य के साथ संयोजित किया गया है। जुलाई 2017 में एक स्वतंत्र कंपनी बनने के बाद, हमने अग्रणी सामान्‍य उपकरण कंपनियों के बीच अपनी जगह बनाई है। हम ग्राहकों एवं व्‍यावसायिक साझीदारों को भिन्‍न सेमीकंडक्‍टर्स, सिस्‍टम एलएसआई और एचडीडी में बेहतरीन समाधान प्रदान करते हैं। दुनिया भर में हमारे 24,000 कर्मचारी हमारे उत्‍पादों का मूल्‍य बढ़ाने के लिए दृढ़ संकल्‍प को साझा करते हैं और मूल्‍य एवं नये बाजारों के सह-निर्माण को बढ़ावा देनेके लिए ग्राहकों के साथ करीबी सहयोग पर जोर देते हैं। हम वार्षिक बिक्री को अब 750 बिलियन येन (6.8 बिलियन अमेरिकी डॉलर) पहुंचाने के लिए तत्‍पर हैं। हम हर कहीं लोगों के लिए बेहतर भविष्‍य में योगदान करेंगे। तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन के बारे में अधिक जानकारी के लिए देखें https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html स्रोत रूपांतर बिजनेसवायर डॉट कॉम (businesswire.com) पर देखें: https://www.businesswire.com/news/home/20201018005077/en/

संपर्क: मीडिया से संबंधित पूछताछ: तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन  डिजिटल मार्केटिंग डिपार्टमेंट चिआकी नागासावा फोन : +81-3-3457-4963 [email protected]  घोषणा (अस्वीकरण): इस घोषणा की मूलस्रोत भाषा का यह आधिकारिक, अधिकृत रूपांतर है। अनुवाद सिर्फ सुविधा के लिए मुहैया कराए जाते हैं और उनका स्रोत भाषा के आलेख से संदर्भ लिया जा सकता है और यह आलेख का एकमात्र रूप है जिसका कानूनी प्रभाव हो सकता है।